Samsung 850 EVO M.2 120 GB Serial ATA III

Was versteht man unter 3D V-NAND und wie unterscheidet es sich von der bestehenden Technologie?
Die einzigartige innovative 3D V-NAND-Flash-Speicher-Architektur von Samsung stellt einen Durchbruch bei der Überwindung von Beschränkungen der Dichte, Performance und Beständigkeit der herkömmlichen planaren NAND-Architektur dar. In 3D V-NANDs werden 32 Zellschichten vertikal übereinander geschichtet, statt die Ausmaße der Zellen zu verringern und zu versuchen, mit einem festgelegten horizontalen Platzangebot auszukommen. Dadurch bietet die Technologie eine höhere Dichte und bessere Performance bei weniger Platzbedarf.

Optimieren Sie die Rechenleistung mithilfe der TurboWrite-Technologie für unerreichte Geschwindigkeiten beim Lesen und Schreiben
Erreichen Sie optimale Lese / Schreibgeschwindigkeiten und sorgen Sie mithilfe der TurboWrite-Technologie von Samsung täglich für ein maximales Computererlebnis. Im Vergleich zum 840 EVO zeigt das 850 EVO eine um circa 13% verbesserte Gesamtbenutzererfahrung, teilweise dank der jetzt doppelt so schnelle zufälligen Schreibgeschwindigkeit**. Mit einer sequentiellen Lese- bzw. Schreibgeschwindigkeit von 540 MB/s bzw. 520 MB/s liefert das 850 EVO die beste Leistung seiner Klasse. Genießen Sie optimierte zufällige Schreib / Lese-Performance in allen Warteschlangentiefen (QD) für Client-PC-Anwendungsszenarien.
*PCmark7 (250 GB) : 6.700 (840 EVO) < 7.600 (850 EVO) **Zufälliges Schreiben (QD32, 120 GB) : 36.000 IOPS (840 EVO) < 88.000 IOPS (850 EVO)

Vergrößern Sie den Datenspeicher mit dem RAPID-Modus
Das Samsung 850 EVO mSATA ist eine Hochgeschwindigkeitsmaschine. Mithilfe der neuesten Samsung Magician Software können Sie den RAPID-Modus aktivieren, um auf unbenutzten PC-Speicher (DRAM) zuzugreifen und diesen als Zwischenspeicher mit bis zu 25% der gesamten DRAM-Kapazität zu nutzen. Dank dieses erheblich vergrößerten Speichers wird die Datenverarbeitung beschleunigt und die zufällige QD kann im RAPID-Modus auf bis das Doppelte ansteigen.


Langlebigkeit und Zuverlässigkeit, unterstützt durch 3D V-NAND-Technologie
Das 850 EVO liefert eine garantierte Langlebigkeit und Zuverlässigkeit, indem es den TBW-Wert (Total Bytes Written) im Vergleich zur vorherigen Generation 840 EVO verdoppelt* und zusätzlich eine in der Branche unerreichte 5-Jahresgarantie anbietet. Durch die Verbesserung der Leistung um bis zu 30% ermöglicht das 850 EVO eine nachhaltige Performance** und zählt somit zu den zuverlässigsten Speicherlösungen.
*TBW: 43 (840 EVO) < 75 (850 EVO 120 / 250 GB), 150 (850 EVO 500 / 1 TB) **Nachhaltige Performance (250 GB) : 3.300 IOPS (840 EVO) > 6.500 IOPS (850 EVO), Performance gemessen nach 12 Stunden "Random Write"-Test

Energieeffizienz unterstützt durch 3D V-NAND
Ab dem 850 EVO wurde die 2 mW-Energiesparfunktion in den 840 EVO-Geräten eingeführt, und jetzt stellt das 850 EVO die hochmoderne 3D-NAND-Technologie vor (die 50% weniger Energie verbraucht als planares 2D-NAND). Damit erhalten Sie während der Schreibvorgänge um 25% mehr Leistungseffizienz*.

Verwendungsmöglichkeit in verschiedenen Gerätetypen dank flexiblem Formfaktor
Das vielseitige 850 EVO deckt alle Anwendungsmöglichkeiten ab, egal welchen Anschlusstyp oder welche physische Steckplatzgröße Ihr Gerät unterstützt. Das 850 EVO M.2 SATA hat die gleiche schlanke und schmale Grundfläche wie SSDs vom Typ M.2 PCIe, unterstützt jedoch die SATA-Schnittstelle. Es eignet sich perfekt für schnellere Computeranforderungen in den Desktops, Laptops und besonders in den durch extrem schmale Abmessungen beschränkten Tablet PCs von heute.

Samsung 850 EVO, 120 GB, M.2, 540 MB/s, 6 Gbit/s

Samsung 850 EVO. SSD Speicherkapazität: 120 GB, SSD form factor: M.2, Lesegeschwindigkeit: 540 MB/s, Schreibgeschw: 500 MB/s, Datenübertragungsrate: 6 Gbit/s